FLOSFIA公司开发出新型氧化镓产品
栏目:最新动态 发布时间:2019-08-27
FLOSFIA株式会社位于日本京都,最近研制出了氧化镓二极管(Diode)产品,用于电动车的新一代氧化镓功率半导体器件。外观看起来不过是普通的半导体,却以划时代的较低成本实现了性能超越。

FLOSFIA最初于2011年在京都大学成立,专门研究雾状化学气相沉积( CVD )成膜和氧化镓(Ga2O3)在低损耗功率器件中的应用。京都大学的Shizuo Fujita教授首创了刚玉结构氧化镓(α-Ga2O3)在半导体中的应用。α-Ga2O3半导体的性能表现优于市场上其它半导体。这些半导体具有5.3eV的宽带隙(wide bandgap)和击穿场强(Breakdown field strength),这意味着其能够更好地承受高压应用。

FLOSFIA成功地用α-Ga2O3制备了肖特基势垒二极管( SBD ),与基于SiC开发的SBD相比,其导通损耗降低了86%。电装表示,α-Ga2O3可以取代目前的硅(Si)和碳化硅(SiC)功率半导体,并有助于进一步开发支持未来电动汽车的技术。
      目前,我司已和FLOSFIA株式会社展开密切合作,准备不久将氧化镓新型产品推入国内市场。

上一篇: 没有了
久久热精品,久久草这在线观看免费